Поддержанный "Роснано" проект по производству лазерных оптических компонентов для электронных сетей позволит поднять скорость передачи данных в четыре раза, сообщил журналистам старший инвестиционный менеджер "Роснано" Дмитрий Лыткин.
Наблюдательный совет "Роснано" одобрил участие госкорпорации в проекте создания высокотехнологичного предприятия по производству полупроводниковых пластин из арсенида галлия, чипов и оптических компонентов на основе вертикально излучающих лазеров, сообщила в четверг пресс-служба госкорпорации.
"Наша технология вертикально излучающих лазеров позволяет в четыре раза увеличить скорость передачи данных", - сказал Лыткин.
Управляющий директор "Роснано" по инвестиционной деятельности Константин Деметриу пояснил, что существующие способы передачи данных с помощью медных кабелей уже не справляются с растущими объемами информации. Для связи на больших расстояниях используются оптические системы на базе мощных и дорогих лазеров, которые обеспечивают достаточно высокую скорость. Однако сейчас требуется значительно увеличить скорость передачи на небольших расстояниях - между серверами, между компьютерами и периферийными устройствами.
Он привел пример уже существующих флэш-дисков с емкостью 512 гигабайт - если использовать стандартный медный разъем USB со скоростью 0,5 гигабита в секунду, то только для того, чтобы прочитать эти данные, потребуется около часа.
Лыткин отметил, что для решения этой проблемы есть два возможных пути - использовать мощные и дорогие традиционные лазеры - те же, что применяются для связи на больших расстояниях, или более дешевые вертикально излучающие лазеры (ВИЛ).
Однако существующие на рынке ВИЛ не поддерживают достаточно высокую скорость. Участница проекта, германская фирма VI-Systems GmbH, под руководством выходца из петербургского Физико-технического института имени Иоффе академика Николая Леденцова, разработала новую технологию, которая позволяет увеличить скорость с 10-15 до 38 гигабит в секунду.
Деметриу пояснил, что в рамках проекта сразу решается целый ряд задач. С его помощью в России будет сохранена команда разработчиков из Института имени Иоффе, создавших новую технологию.
"Кроме того, мы выходим на передовой рубеж оптоэлектроники, на тот рубеж, где рынок будет через несколько лет", - сказал он.
По словам Деметриу, новая разработка позволит России впервые принять участие в разработке нового поколения стандартов передачи данных USB 3.0 и 4.0, которая ведется, в частности, в рамках международного комитета IEEE. Новые "флэшки" будут оптическими, на базе лазерных технологий, и рыночные перспективы новой компании зависят от того, какие именно лазеры будут приняты в качестве стандарта.
Если в качестве стандарта будет принята разработка группы из Института Иоффе, то перед компанией откроются широчайшие рыночные перспективы, отметил Деметриу.
Говоря о самой технологии ВИЛ, Лыткин отметил, что у нее есть ряд преимуществ перед традиционными полосковыми лазерами. Поскольку лазерный луч в них идет не вдоль, а вертикально, поперек полупроводниковых пластин, их значительно легче тестировать - не нужно разрезать пластины, легче монтировать.
Благодаря разработкам команды из Физико-технического института удалось избавиться от недостатков ВИЛ - малого срока службы и относительно низкой скорости передачи данных.
Предполагается, что площадка для производства лазеров будет создана на базе ФТИ имени Иоффе в Петербурге, где будет работать около 60 человек. Оптические компоненты на базе лазеров будут создаваться на основе аутсорсинга.
Запуск промышленного производства планируется на второй квартал 2011 года, а выход на проектную мощность - в 2014 году, когда выручка компании превысит 2,3 миллиарда рублей.
"Роснано" совместно с разработчиком и владельцем технологий VI-Systems GmbH и внешним финансовым соинвестором организуют в Петербурге СП с уставным капиталом 600 миллионов рублей. Доля госкорпорации в проектной компании составит 45,01%, VI-Systems GmbH - 35%, доля соинвестора - 19,99%, говорится в сообщении.
При успешном выполнении первого этапа проекта "Роснано" предоставит проектной компании заем на сумму до 500 миллионов рублей на приобретение оборудования, связанного с выращиванием полупроводниковых кристаллов для расширения производства. Суммарные инвестиции в проект достигнут 1,1 миллиарда рублей.
